5,49 ₴
Показати оптові ціниBT134-600E,127, Симістор 4А 600В, TO-126
TRIAC, NXP Semiconductors
Технічні параметри
Максимальна зворотна напруга Uзв.,До 600 В
Макс. повторювана імпульсна напр. у закритому стані Uзс.повт.макс.,До 600 В
Макс. середнє за період значення струму у відкритому стані Іос.сер.макс., 4 А
Макс. короткочасний імпульсний струм у відкритому стані Ікор.макс., 25 А
Макс. напр. у відкритому стані Uвс.макс., 1.7 В
Найменший постійний струм управління, необхідний для включення тиристора Іу.від.мін., 0.025 А
Відмикаюча напруга управління,відповідна мінімальному постійному відмикаючому струму Uу.від.,1.5 В
Критична швидкість наростання напруги в закритому стані dUзс./dt,В/ 50 мкс
Критична швидкість наростання струму у відкритому стані dI/dt,А/ 50 мкс
Час включення t вкл., 2 мкс
Робоча температура, -40...125 С
Корпус TO-126
Конфігурація single
Тип симістора logic-sensitive gate
Максимальна напруга в закритому стані, 600
Максимально допустимий струм у відкритому стані, 4 А
Відмикаюча постійна напруга управління, 1.5 В
Ударний струм у відкритому стані, 25 А
Отпирающий постійний струм управління, 10 мА
Струм утримання, 15 мА
Корпус sot-82
Вага, 1.4 г
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Без бренду |
| Країна виробник | Китай |
| Стан | Новий |
| Тип тиристора | Сімістор |
| Максимальна імпульсна напруга в закритому стані | 600 В |
| Користувальницькі характеристики | |
| Країна реєстрації | Китай |