24,99 ₴
Показати оптові ціниThe IRFB3306PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Технічні параметри
Структура n-канал
Максимальна напруга стік-витік Uсв, В 60
Максимальний струм стік-витік при 25 С Ісв макс..А 160
Максимальна напруга затвор-витік Uзв макс.,В ±20
Опір каналу у відкритому стані Rсв вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0042 ом при 75a, 10в
Максимальна потужність, що розсіюється Рсв макс..230 Вт
Крутизна характеристики S 23
Корпус to220ab
Вага, г 2.5
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Без бренда |
| Країна виробник | Китай |
| Користувальницькі характеристики | |
| Країна реєстрації | Китай |
