17,99 ₴
Показати оптові ціниN-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структура n-канал
Максимальна напруга стік-витік Uсв, В 75
Максимальний струм стік-витік при 25 С ІсВ макс..А 80
Максимальна напруга затвор-витік Uзв макс.,В ±20
Опір каналу у відкритому стані Rсв вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 ом при 40a, 10в
Максимальна потужність, що розсіюється Рсв макс..45 Вт
Крутизна характеристики S 20
Корпус to220ab
Особливості: потужний польовий
Порогова напруга на затворі 4
Вага, г 2.5
Основні | |
---|---|
Виробник | Без бренда |
Країна виробник | Китай |
Користувальницькі характеристики | |
Країна реєстрації | Китай |