Конфігурація half-bridge
Тип каналу незалежний
Кількість каналів 2
Тип керованого затвору IGBT, N-CH MOSFET
Напруга живлення, В 3.3...20
Логічна напруга (VIL), 6
Логічна напруга (VIH), В 9.5
Піковий вихідний струм наростання (Source), А 2
Піковий вихідний струм спаду (Sink), А 2
Тип входу неінвертуючий
Максимальна напруга зсуву, В 600
Номінальний час наростання (Rise Time), нс 25
Номінальний час загасання (Fall Time), нс 17
Робоча температура, °C -40...+150 (TJ)
Корпус soic-16 (0.295 inch)
Вага, г 1