Мультиметр тестер напівпровідників ESR LCR великий LCD РК LCR-T7

Кольоровий TFT екран 1,8"

Автоматичне виявлення NPN і PNP транзисторів, конденсаторів, резисторів, діодів, тріодів, n-канальних і p-канальних MOSFET, IGBT, JFET, ТРІАК і батарей, резисторів, конденсаторів і інших компонентів.
 
Вимірювання опору, ємності, індуктивності, прямого переходу напруги на діодах і біполярних транзисторах, ємності та порогової напруги затвору в польових транзисторах, виявлення захисних діодів в транзисторах.
 
Живлення від вбудованого акумулятора.
 
Розряджайте конденсатори до тестування!
    
Вимірювач індуктивності
 
1. Тест напівпровідників, конденсаторів, резисторів, індуктивностей проводиться за одну операцію – натисненням кнопки. Автоматичне вимкнення після тесту.
 
2. Споживаний струм після відключення не більше 20nA .
 
3. Діапазон вимірювання резисторів становить від 0,1 Ом до 50 МОм з точністю 1%.
 
4. Діапазон вимірювання ємності складає від 25рF до 100mF і точністю 1%.
 
5. Діапазон вимірювання индутивности становить від 0,01 мН до 20H і точністю 1%.
 
Тестер транзисторів
   
6. Автоматичне визначення NPN, PNP біполярних транзисторів , N -канальних і Р - канальних MOS-FET, JFET транзисторів , діодів, подвійних діодів, тиристорів невеликої потужності, односпрямованих і двоспрямованих тиристорів.
 
7. Автоматичне визначення цоколювання напівпровідників.
 
8. Вимірювання в біполярних транзисторах коефіцієнту посилення і порогової напруги база – емітер.
 
9. Виявлення захисних діодів в біполярних і MOS-FET транзисторах.
 
Мультитестер напівпровідників
   
10. Ідентифікація транзисторів Дарлінгтона.
 
11. Вимірювання порогової напруги і ємності затвору в MOSFET транзисторах.
 
12. Вимірювання ESR конденсатора з роздільною здатністю 0,01 Ом.
 
ESR вимірювач
   
13. Вимірювання подвійних резисторів (потенціометрів) з відображенням на дисплеї символів резистора.
 
14. Відображення символів подвійних діодів з вимірюванням прямої напруги кожного переходу.
 
15. Визначення комбінованих світлодіодів.
 
16. Визначення напруги пробою в стабілітронах з напругою не більше 4.5 V.